電子硬體常用公式整理。


一、基本電學

歐姆定律

$$ V = I \cdot R \quad I = \frac{V}{R} \quad R = \frac{V}{I} $$

功率

$$ P = V \cdot I = I^2 \cdot R = \frac{V^2}{R} $$

電能

$$ W = P \cdot t \quad [\mathrm{J}] $$

Kirchhoff 定律

  • KCL:$\sum I_{in} = \sum I_{out}$
  • KVL:$\sum V_{loop} = 0$

串並聯

  • 串聯電阻:$R_{total} = R_1 + R_2 + \cdots$
  • 並聯電阻:$\frac{1}{R_{total}} = \frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} + \cdots$
  • 串聯電容:$\frac{1}{C} = \frac{1}{C_1} + \frac{1}{C_2} + \cdots$
  • 並聯電容:$C = C_1 + C_2 + \cdots$
  • 串聯電感:$L = L_1 + L_2 + \cdots$
  • 並聯電感:$\frac{1}{L} = \frac{1}{L_1} + \frac{1}{L_2} + \cdots$

分壓 / 分流

  • $V_{R_2} = V_{in} \cdot \dfrac{R_2}{R_1+R_2}$
  • $I_{R_1} = I_{total} \cdot \dfrac{R_2}{R_1+R_2}$(並聯)

二、AC 與相量

角頻率

$$ \omega = 2\pi f $$

阻抗

  • 電阻:$Z_R = R$
  • 電感:$Z_L = j\omega L$
  • 電容:$Z_C = \dfrac{1}{j\omega C} = -\dfrac{j}{\omega C}$

RMS(正弦)

$$ V_{RMS} = \frac{V_p}{\sqrt{2}} \quad I_{RMS} = \frac{I_p}{\sqrt{2}} $$

平均功率

$$ P = V_{RMS} \cdot I_{RMS} \cdot \cos\phi $$

功率因數

$$ PF = \cos\phi $$


三、電容 / 電感

電容

  • $Q = CV$
  • $i = C\dfrac{dv}{dt}$
  • $E = \frac{1}{2}CV^2$

電感

  • $v = L\dfrac{di}{dt}$
  • $E = \frac{1}{2}LI^2$

RC 充放電

  • 時間常數:$\tau = RC$
  • 充電:$v(t) = V_f(1 - e^{-t/\tau})$
  • 放電:$v(t) = V_0 e^{-t/\tau}$

RL 暫態

  • 時間常數:$\tau = L/R$

LC 諧振

  • $f_0 = \dfrac{1}{2\pi\sqrt{LC}}$
  • 品質因數:$Q = \dfrac{\omega_0 L}{R} = \dfrac{1}{R}\sqrt{\dfrac{L}{C}}$

四、二極體 / 電晶體

二極體(Shockley)

$$ I = I_S\left(e^{V/(n V_T)} - 1\right) $$

熱電壓:$V_T = kT/q \approx 25.85\ \mathrm{mV}\ \text{(at 300K)}$

BJT(主動區)

  • $I_C = \beta I_B$
  • $I_E = I_C + I_B = (\beta + 1)I_B$
  • $V_{BE} \approx 0.7\ \mathrm{V}$
  • 跨導:$g_m = I_C / V_T$
  • $r_\pi = \beta / g_m$
  • $r_o = V_A / I_C$

MOSFET 飽和區

$$ I_D = \frac{1}{2}\mu C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2 $$ - 跨導:$g_m = \mu C_{ox}\dfrac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH}) = \sqrt{2 I_D \mu C_{ox} W/L}$ - 線性區:$I_D = \mu C_{ox}\dfrac{W}{L}\left[(V_{GS}-V_{TH})V_{DS} - \dfrac{V_{DS}^2}{2}\right]$


五、放大器 / OPAMP

反相

$$ A_v = -\frac{R_f}{R_{in}} $$

非反相

$$ A_v = 1 + \frac{R_f}{R_{in}} $$

緩衝器

$$ A_v = 1 $$

加法器

$$ V_o = -R_f!\left(\frac{V_1}{R_1}+\frac{V_2}{R_2}+\cdots\right) $$

差動放大

$$ V_o = (V_2 - V_1)\frac{R_f}{R_1}\quad (\text{平衡}) $$

微分器

$$ V_o = -RC\frac{dV_{in}}{dt} $$

積分器

$$ V_o = -\frac{1}{RC}\int V_{in}\, dt $$

GBW

$$ A \cdot BW = GBW = \text{const} $$

轉換速率

$$ SR = \left|\frac{dV_o}{dt}\right|_{max} $$

噪音電壓

$$ V_n = \sqrt{4 k T R \cdot BW}\quad (\text{熱雜訊}) $$


六、濾波器

一階 RC LPF

$$ f_c = \frac{1}{2\pi RC} $$

一階 RL LPF

$$ f_c = \frac{R}{2\pi L} $$

Sallen-Key 二階

$$ f_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{R_1 R_2 C_1 C_2}} $$


七、電源

Buck 工作週期

$$ D = \frac{V_{out}}{V_{in}} $$

Boost

$$ \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{1-D} $$

Buck-Boost

$$ \frac{V_{out}}{V_{in}} = -\frac{D}{1-D} $$

電感紋波

$$ \Delta I_L = \frac{V_L \cdot t_{on}}{L} $$

輸出電容紋波(Buck)

$$ \Delta V_{out} = \frac{\Delta I_L}{8 f C} $$

變壓器

  • 匝數比:$\dfrac{V_p}{V_s} = \dfrac{N_p}{N_s}$
  • 阻抗變換:$\dfrac{Z_p}{Z_s} = \left(\dfrac{N_p}{N_s}\right)^2$

八、訊號完整性

反射係數

$$ \Gamma = \frac{Z_L - Z_0}{Z_L + Z_0} $$

VSWR

$$ VSWR = \frac{1+|\Gamma|}{1-|\Gamma|} $$

微帶線阻抗(近似)

$$ Z_0 \approx \frac{87}{\sqrt{\varepsilon_r + 1.41}}\ln!\left(\frac{5.98 h}{0.8 W + t}\right) $$

傳輸線傳輸延遲

$$ t_d = \frac{\sqrt{\varepsilon_r}}{c}\ \mathrm{[s/m]} $$

FR4:$\varepsilon_r \approx 4.5$,$t_d \approx 7\ \mathrm{ns/m} \approx 170\ \mathrm{ps/inch}$

上升時間 vs 頻寬

$$ BW \approx \frac{0.35}{t_r} $$


九、雜訊與訊號

分貝

$$ A_{dB} = 20\log_{10}!\left(\frac{V_o}{V_i}\right) = 10\log_{10}!\left(\frac{P_o}{P_i}\right) $$

dBm

$$ P_{dBm} = 10\log_{10}!\left(\frac{P}{1\,\mathrm{mW}}\right) $$

熱雜訊(Johnson)

$$ v_n = \sqrt{4 k T R \Delta f} $$

Friis 雜訊指數

$$ NF_{total} = NF_1 + \frac{NF_2 - 1}{G_1} + \frac{NF_3 - 1}{G_1 G_2} + \cdots $$


十、ADC / DAC

量化解析度

$$ LSB = \frac{V_{ref}}{2^N} $$

理想 SNR(N-bit)

$$ SNR = 6.02 N + 1.76\ [\mathrm{dB}] $$

ENOB

$$ ENOB = \frac{SINAD - 1.76}{6.02} $$

取樣定理

$$ f_s \geq 2 f_{max} $$


十一、邏輯與時序

工作頻率

$$ f_{max} = \frac{1}{T_{clk\to Q} + T_{logic} + T_{setup} + T_{skew}} $$

CMOS 動態功耗

$$ P = C V^2 f $$

CMOS 漏電功耗

$$ P_{static} = V_{DD} \cdot I_{leak} $$


十二、熱

熱阻計算

$$ T_J = T_A + P \cdot \theta_{JA} $$

串聯熱阻

$$ \theta_{total} = \theta_{JC} + \theta_{CS} + \theta_{SA} $$


十三、其他常用

串聯電阻校驗(10 mA LED 限流)

$$ R = \frac{V_{cc} - V_F}{I_F} $$

MCU 晶振準確度(ppm)

$$ \Delta f = f_0 \cdot ppm \cdot 10^{-6} $$

電池容量轉換

$$ \mathrm{Wh} = \mathrm{Ah} \times V $$

電容能量

$$ E = \frac{1}{2}CV^2 $$

電感能量

$$ E = \frac{1}{2}LI^2 $$


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