變壓器是電力電子的「主角」之一,也是電源供應器、隔離設計的核心。


一、變壓器的物理原理

結構

兩組線圈(初級 primary、次級 secondary)繞在共同磁芯上:

           ┌────磁芯────┐
   ┌──[線圈1]──┐    ┌──[線圈2]──┐
AC ┤   N1 匝   │    │   N2 匝    ├─── AC out
   └───────────┘    └────────────┘
        Primary          Secondary

兩組線圈不電氣連接,但由「磁通」耦合。

工作原理(電磁感應)

  1. 初級線圈通過交流電流 → 產生交變磁通
  2. 磁通經磁芯傳導到次級線圈
  3. 變化磁通在次級感應電壓(法拉第定律)

關鍵公式:

$$\boxed{\frac{V_p}{V_s} = \frac{N_p}{N_s}}$$

電壓與「匝數比」成正比。

電流相反:

$$\frac{I_p}{I_s} = \frac{N_s}{N_p}$$

變壓器「保持功率」(不考慮損耗):V_p × I_p ≈ V_s × I_s


二、變壓器的功能

1. 電壓變換

最直觀用途:升壓或降壓。 - 110V AC → 12V AC(消費電子內部) - 11kV → 220V(市電變電所)

2. 電氣隔離

初級與次級沒有電氣連接,只透過磁場耦合 → 安全隔離。 - 安規必要:人體可能接觸的設備一定要有隔離 - 醫療設備:保護病人不接觸電網

3. 阻抗變換

阻抗反射:

$$Z_p = \left( \frac{N_p}{N_s} \right)^2 Z_s$$

用於:音響功率放大器到喇叭、射頻的阻抗匹配。

4. 電流隔離量測(CT, Current Transformer)

把大電流(如 100A)轉成小電流(5A)方便量測。

5. 訊號耦合(在脈衝、音訊應用)

  • 脈衝變壓器:傳遞高速訊號(如 PoE)
  • 音訊變壓器:阻抗匹配麥克風到擴大器

三、變壓器的種類

1. 依頻率分類

工頻變壓器(50/60 Hz)

  • 矽鋼片(Si Steel)EI 型、UI 型
  • 體積大、重
  • 用於:傳統電源變壓器、變電所

高頻變壓器(kHz–MHz)

  • 鐵氧體(Ferrite)磁芯
  • 體積小、輕
  • 用於:開關電源、無線充電

射頻變壓器

  • 鐵粉芯、空心
  • 用於:RF 阻抗匹配、Balun

2. 依結構分類

隔離變壓器

1:1 變壓器,純粹電氣隔離。

自耦變壓器(Autotransformer)

單一線圈中間抽頭,沒有完全隔離但效率高、便宜。

中心抽頭變壓器(Center Tapped)

次級中間引出,常用於全波整流或對稱輸出。

三相變壓器

三相電力系統用,星形/三角形連接。

3. 特殊變壓器

共模扼流圈(Common Mode Choke)

雖然形式像變壓器,主要用於濾除共模雜訊(前章已介紹)。

Balun(Balanced-Unbalanced)

平衡↔非平衡訊號轉換,常用於射頻、乙太網。

電流互感器(CT)

量測大電流。

電壓互感器(PT)

量測高電壓。


四、變壓器的電路模型

理想變壓器

僅有匝數比 N_p:N_s,無損耗、無漏感。

實際變壓器(T 模型)

   R_p      L_lp                L_ls       R_s
─[Rs]──[電感]──┬──────┬──[電感]──[Rs]─────
               │      │
              [L_m]   [R_c]
               │      │
              GND    GND

包含: - R_p, R_s:銅損(線圈電阻) - L_lp, L_ls:漏感(leakage inductance,未耦合的磁通) - L_m:勵磁電感(magnetizing inductance) - R_c:鐵損等效電阻

耦合係數 k

理想 k = 1,實際 0.95–0.99。漏感 = 總電感 × (1 - k²)。


五、變壓器的關鍵規格

1. 額定容量(VA)

最大可傳輸功率,通常 V × I 表示。

2. 初級/次級電壓

標稱輸入/輸出電壓。

3. 工作頻率

工頻、開關頻率(高頻型)。

4. 隔離耐壓(Isolation Voltage)

初次級間最大耐壓,依安規要求: - 一般電源:1500–3000 V_AC - 醫療設備:4000+ V

5. 效率

η = P_out / P_in,工頻型 80–95%,高頻 92–98%。

6. 漏感(Leakage Inductance)

影響開關電源的尖峰電壓、效率。

7. 飽和磁通密度(B_max)

磁芯飽和的閾值,常見: - 矽鋼:1.5–2.0 T - 鐵氧體:0.3–0.5 T - 非晶:1.5 T

8. 工作溫度範圍

與磁芯居禮溫度與絕緣等級相關。


六、開關電源變壓器(重點)

現代電子設備幾乎都用「開關電源」而非工頻變壓器:

為什麼?

工頻變壓器在 50/60 Hz 工作,要降壓 110V→12V: - 體積大(鐵芯需要大磁通容量) - 重(鐵心 + 銅) - 效率較差

開關電源在 100 kHz–1 MHz 工作: - 體積大幅縮小(高頻磁芯小很多) - 輕、效率高 - 但設計複雜

經典拓撲

拓撲 功率範圍 特點
Flyback 0–100W 簡單、單個變壓器、輸出多組容易
Forward 100–500W 連續導通,效率高
Push-Pull 100–500W 雙極性磁通,磁芯利用好
Half-Bridge 200–1000W
Full-Bridge 500W–10kW 大功率主流
LLC Resonant 100W–數kW 軟切換、高效率
PFC + LLC 大功率 高功率因數電源

(詳見 03-中級篇/05-電源供應器設計.md)


七、變壓器設計入門(簡介)

不需現在就會設計變壓器,但要知道概念:

1. 選磁芯材料與大小

由功率與頻率決定。AP(Area Product)法:

$$AP = A_e \times A_w$$

A_e:磁芯有效截面積 A_w:繞線窗口面積

2. 計算初級匝數 N_p

$$N_p = \frac{V_p \times t_{on}}{B_{max} \times A_e}$$

3. 匝數比決定 N_s

$$N_s = N_p \times \frac{V_s}{V_p}$$

4. 線徑選擇

依電流密度(一般 4 A/mm²,散熱差時 2.5 A/mm²)。

5. 繞線排列

影響漏感、寄生電容、絕緣與安規。 - 三明治式繞法:減少漏感 - 分層繞線:大電流分層


八、實務應用範例

例 1:手機充電器內部

110V AC → 5V DC:

  1. 整流橋:AC → 脈動 DC(~ 156V peak)
  2. 高壓濾波電容:156V DC
  3. 開關電晶體(MOSFET)以 100 kHz 切換
  4. 高頻變壓器:156V → 約 5V × 匝數比的脈衝
  5. 次級整流二極體(蕭基)
  6. 輸出濾波電容
  7. 反饋(光耦合器或 primary side 感測)

例 2:USB-PD 充電器

支援 5V/9V/12V/15V/20V 多檔輸出:

通常使用 Flyback 拓撲,控制器透過反饋調整匝數比的「等效輸出」。

例 3:乙太網路 PHY

每對差分對都接一顆「Magnetics」(網路變壓器):

  • 阻抗匹配:100Ω 雙絞線
  • 電氣隔離:保護晶片不被線路雷擊損壞
  • 共模雜訊抑制

例 4:音響功率放大器

晶體管放大後接喇叭(4–8Ω 低阻抗): - 真空管時代:必用變壓器(管子內阻數 kΩ) - 電晶體時代:直接耦合,但仍見到「輸出變壓器」的真空管復古設計


九、變壓器的常見錯誤

1. 忽略漏感

開關電源中漏感引起 spike,可能擊穿 MOSFET。 解方:snubber 電路、RCD 緩衝、優化繞線。

2. 飽和

設計時磁通計算錯誤,B 超過 B_max → 磁芯飽和 → 電感劇降 → 開關電晶體燒毀。

3. 工頻變壓器接到不對的頻率

110V 60Hz 變壓器接 110V 50Hz:磁通密度增加 20%,可能飽和。

4. 隔離耐壓不足

過了安規但實際應用瞬間電壓尖峰超過。

5. EMI 設計不良

變壓器是 EMI 的主要源,需要: - 屏蔽銅箔 - Y 電容跨初次級 - 共模扼流圈

6. 散熱不足

繞線銅損 + 鐵損都會發熱。 高頻變壓器容易燒毀。


十、本章總結

✅ 您應該掌握:

  • [x] 變壓器的電磁感應原理
  • [x] 匝數比 = 電壓比、電流反比
  • [x] 三大用途:變壓、隔離、阻抗變換
  • [x] 工頻 vs 高頻變壓器
  • [x] 隔離變壓器、自耦、中心抽頭、三相
  • [x] 開關電源變壓器的重要性
  • [x] 變壓器電路模型(漏感、勵磁電感、銅損、鐵損)

自我檢測

  1. 110V 初級 / 12V 次級的變壓器,匝數比多少?
  2. 1A 的初級電流,次級電流大約多少?
  3. 為什麼開關電源比工頻電源體積小?
  4. 漏感對 Flyback 電源有什麼影響?
  5. 為什麼乙太網路要用網路變壓器?

解答

  1. N_p:N_s = 110:12 ≈ 9.17:1
  2. I_s = I_p × N_p/N_s = 1 × 9.17 ≈ 9.17 A
  3. 高頻工作(kHz–MHz),磁芯需要的 V·t 積(即 B×A)小,因此可用更小的磁芯
  4. 漏感儲存的能量在 MOSFET 關閉時釋放,產生高壓 spike,可能擊穿 MOSFET。需 snubber 緩衝
  5. 1) 阻抗匹配 100Ω 雙絞線;2) 電氣隔離(防雷擊、共模浪湧);3) 抑制共模雜訊

下一章

09-繼電器與開關.md — 機電元件。