第 0 章 1：課程介紹
當我們使用手機、電腦、汽車、家電時，背後支撐這一切的，是「電子硬體」。 即使是寫軟體的人，也需要理解硬體：
阅读文章 →第 0 章 2：學習路徑指南
歐姆定律 V = IR 串聯與並聯電阻 直流（DC）與交流（AC）的差別 電壓、電流、功率的單位
阅读文章 →第 0 章 3：基本物理概念
原子核（中央，包含質子 proton 與中子 neutron） 電子（electron，環繞原子核）
阅读文章 →第 1 章 1：電學基礎
單位：安培（A）= 庫侖/秒（C/s） 1 A 表示每秒有 1 庫侖（≈ 6.24 × 10¹⁸ 個電子）通過
阅读文章 →第 1 章 2：電阻（Resistor）
電子在金屬或電阻材料中流動時，會與晶格原子、雜質、缺陷碰撞，這些散射造成能量損耗。
阅读文章 →第 1 章 3：電容（Capacitor）
當兩極板施加電壓時，正電荷累積在一板，負電荷累積在另一板， 形成電場。電容「儲存了能量」。
阅读文章 →第 1 章 4：電感（Inductor）
電感是儲存磁場能量的元件，是電容的「對偶」。在電源、濾波、射頻電路中扮演關鍵角色。
阅读文章 →第 1 章 5：二極體（Diode）
二極體是最簡單的「半導體元件」，是進入主動元件世界的第一站。 理解二極體，是理解所有半導體元件的基石。
阅读文章 →第 1 章 6：BJT 雙極性接面電晶體
電晶體是 20 世紀最重要的發明之一，是所有現代電子的基石。 本章介紹歷史較早、概念較直觀的 BJT。
阅读文章 →第 1 章 7：FET / MOSFET 場效電晶體
MOSFET 是「現代電子的主角」。所有 CPU、GPU、記憶體、開關電源，都是由 MOSFET 構成。 本章帶您理解這個改變世界的元件。
阅读文章 →第 1 章 8：變壓器（Transformer）
1. 初級線圈通過交流電流 → 產生交變磁通 2. 磁通經磁芯傳導到次級線圈 3. 變化磁通在次級感應電壓（法拉第定律）
阅读文章 →第 1 章 9：繼電器與開關
Toggle（切換式）：切過去就保持，再切回 Pushbutton（按鈕式）：按壓動作，分常開（NO）/ 常閉（NC） 即時型（momentary）：放開回復 鎖定型（latching）：按一下開、再按一下關 Slide（滑動式）：左右滑動切換 Rotary（旋轉式）：多檔位選擇 Rocker（搖頭式）：常見於電源開關 DIP Switch：印刷電路板上的微型撥碼開關 Tact Switch：觸控按鍵（最常用於 PCB）
阅读文章 →第 1 章 10：電池與電源
1. 過充保護（V 4.25V 切斷充電） 2. 過放保護（V < 2.5V 切斷放電） 3. 過電流保護（短路保護） 4. 溫度保護（NTC 監測） 5. 電量計（庫侖計，估算剩餘容量） 6. 平衡（多 cell 串聯時）
阅读文章 →第 1 章 11：基本電路定律
1×3 2×4：24 I1 18 I2 24 I1 + 40 I2 = 30 16 → 22 I2 = 14 → I2 ≈ 0.636 A
阅读文章 →第 2 章 1：半導體物理基礎
固體中電子能量呈「能帶」結構： 價帶（Valence Band）：價電子所在 導帶（Conduction Band）：自由電子所在 能隙（Band Gap, Eg）：價帶頂到導帶底的能量差
阅读文章 →第 2 章 2：PN 接面（PN Junction）
PN 接面是半導體電子學的「基本元件」，理解它就理解了二極體、BJT、MOSFET 的關鍵物理。
阅读文章 →第 2 章 3：二極體深入
實際整流二極體常用「PIN」結構（P+ / Intrinsic / N+）： P+ N+ 重摻雜降低 VF 中間 I 層提供高擊穿電壓
阅读文章 →第 2 章 4：BJT 原理深入
→ 注入到 Base 的電子量遠大於 Base 注入回 Emitter 的電洞量 → 「注入效率」γ 接近 1
阅读文章 →第 2 章 5：MOSFET 原理深入
MOSFET 是現代 IC 的主角，從手機 SoC 到數據中心的 CPU，都靠 MOSFET。
阅读文章 →第 2 章 6：IGBT 與功率元件
1. 高耐壓（VBR） 2. 大電流（Imax） 3. 低導通損耗（Ron 小） 4. 高速切換（小寄生電容） 5. 大 SOA（不易燒） 6. 低成本
阅读文章 →第 2 章 7：閘流體與 SCR
閘流體（Thyristor）家族是「latching（閂鎖式）」開關的代表，本章專門整理。
阅读文章 →第 2 章 8：光電元件
$$E{photon} = h \nu = \frac{h c}{\lambda}$$
阅读文章 →第 2 章 9：半導體製程概論
從一塊沙子到智慧型手機的處理器，半導體製程是現代工業最複雜的奇蹟。本章帶您看完整流程。 深入細節在 06製造篇/01IC製造流程.md。
阅读文章 →第 3 章 1：放大器設計
放大器是類比電路的核心。從 µV 級的感測器訊號到 W 級的喇叭驅動，都離不開放大器。
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